2026年8月7日，A股磷化铟（InP）概念板块集体大涨——云南锗业再度涨停，收获四连板，有研新材拿下三连板。在此之前，海外光通信行业巨头Lumentum CEO预警，称“目前磷化铟供需缺口已‘超过DRAM和NAND’”，这一表态成为点燃市场情绪的导火索。行情更深层的驱动力来自产业端持续的供需失衡，英伟达今年3月宣布对外投资40亿美元扩建磷化铟产线锁定产能，同时预测2026年至2030年全球磷化铟晶圆需求将激增20倍；日本JX金属宣布计划到2030财年投资1200亿日元，将磷化铟产能较2025年提高7-10倍；AXT等头部企业也陆续公布扩产计划。一场围绕AI算力“光之基石”的供应链之战，已经在全球资本市场和产业界同时打响。

随着AI算力设施大规模建设，GPU作为广受关注的核心部件，其光模块是支撑系统运行的关键链路，而磷化铟（InP）是该链路最基础的核心支撑材料。磷化铟作为第二代化合物半导体材料，其电子迁移率达到硅材料的4倍以上，是当前唯一可实现大规模量产，且能精准适配光纤通信1310nm和1550nm两大波段窗口的衬底材料。从800G光模块到1.6T光模块，从传统可插拔收发器到面向下一代的CPO（共封装光学）架构，均需以磷化铟制备的激光器作为光源。

全球产能争夺加剧，“卡脖子”战略地位跃升。全球磷化铟衬底市场呈现出高度集中的垄断格局，全球90%以上的高端产能被日本住友、美国AXT、日本JX三家企业垄断，单条产线投资超12亿元，扩产周期长达3至5年。如今海外巨头扩产力度之大，反映出全球产能争夺已进入白热化阶段。中国虽握有全球约75%的铟储量，但从精铟到6N级以上高纯铟的提纯工艺成为产能瓶颈，另一核心原料——电子级高纯红磷（6N—7N级），长期被日本NCI等少数企业垄断。据法国行业研究机构Yole预测，2026年全球磷化铟衬底需求预计为260万至300万片，有效产能仅约75万片，缺口超过70%。纯度6N以上的高纯磷化铟，其战略地位已从“光通信衬底”跃升为“AI基础设施卡脖子环节”。

国内技术加速突围，产品良率仍是核心瓶颈。上游资源端，中铝集团今年4月依托稀有金属资源优势切入赛道，携旗下国企成立中铝乾星，投资3500万元建设6英寸磷化铟等化合物半导体衬底中试平台；云南锗业获批实施年产30万片（折合4英寸）扩产项目；浙江先导微电子成为国内首家6英寸衬底量产企业，产品对标国际一线厂商；湖北九峰山实验室依托国产MOCVD设备首发6英寸InP外延工艺，关键性能达国际领先水平，首次实现核心装备到关键材料的全链路国产化协同。但产品良率爬坡仍是关键挑战，截至2026年6月，行业领先的6英寸外延片良率刚突破65%，有效产能释放仍需时间。国内磷化铟产业仍处于技术突围与产能扩张的关键窗口期。

浙江政策体系前瞻，产业布局持续活跃。《“十五五”数字浙江建设规划》提出推动GPU技术攻关，打通高性能GPU国产化全链路；杭州2022年出台《促进集成电路产业高质量发展的实施意见》，明确支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化铟等化合物半导体项目建设。在上游衬底环节，衢州率先引入先导科技集团百亿级项目，浙江先导微电子6英寸磷化铟衬底量产，稳定供货国内头部光芯片、光模块企业，今年7月完成20亿元扩产项目备案，3年内将新增年产300万片能力。在外延与设计端，金华芯胜半导体建成具有自主知识产权的磷化铟外延片大规模生产基地；杭州集聚兰特普、芯耘光电等一批Ⅲ-V族光电芯片设计企业，形成前端创新策源能力。芯片制造与器件模组端，宁波元芯光电实现高端磷化铟芯片量产；杭州泽达半导体建成3英寸InP晶圆生产线；湖州德清华莹电子覆盖磷化铟材料到射频模组全链条；杭州今年6月投产高速硅光模块智能制造基地，规划年产500万只800G/1.6T模块。从衬底到模块，以磷化铟为核心代表的化合物半导体产业链格局在浙江已逐步成形。

在这场由磷化铟主导的光模块半导体材料供应链竞争中，浙江坐拥全国领先的算力应用生态与完善半导体产业配套，应当紧握AI算力基础设施布局与技术突破的发展机遇，进一步推动光模块国产化进程，牢牢抓住这一关键发展窗口期。

一是贯通全链协同，突破原料设备瓶颈。浙江在磷化铟衬底领域已具备先发优势，需向上游原料环节延伸，支持华友钴业等本地企业加快6N超细电子级红磷的量产攻关，鼓励先导科技等龙头企业向上游整合资源。同步推出专项政策与审批绿色通道，助力企业缩短扩产爬坡周期。补齐设备短板，支持晶盛机电等本土企业攻关MOCVD等化合物半导体设备；围绕磷化铟衬底的切割、研磨、抛光等工艺环节完善耗材供应链，构建“石墨热场—涂层零件—研磨液—检测设备”全套本土供应能力。推动先导微电子、芯胜半导体、泽达半导体开展产业链协同，构建“材料—衬底—芯片—模块”纵向协同生态。建设光芯片与光模块公共检测验证平台，降低中小企业验证成本，加快国产产品导入进程。

二是发挥资本作用，驱动产品产能跃升。用足用好现有产业基金，推动设立专项子基金，定向支持衬底、外延、光芯片等关键环节的产能扩建与技术攻关。创新“以投带引”资本招商，发挥省高端新材料产业基金的引导放大效应，撬动社会资本。支持先导微电子、泽达半导体等优质企业上市募资，将资本势能转化为研发与扩产动能。鼓励产业资本与地方国资平台联合设立专项基金，围绕磷化铟产业链开展并购整合，通过资本手段快速补齐关键环节短板。设立风险分担与研发补偿机制。针对磷化铟单晶生长、大尺寸外延等长周期、高风险的技术攻关项目，设立专项风险补偿资金，降低企业前期研发投入压力。

三是聚力创新攻关，强化场景需求牵引。依托省光电晶体材料创新中心、光电材料与器件协同创新中心、浙江光电子研究院、省激光与光电产业技术创新联盟等省级平台，支持由士兰微、晶盛机电、先导科技等行业龙头牵头，联合浙大、之江实验室，集中攻关大尺寸InP单晶生长、低缺陷外延等共性技术，构建“高校—国家实验室—产业链”协同攻关体系。同步强化应用场景牵引，出台政策引导省内数据中心、智算中心优先采购本土光模块产品，以内需订单支撑产业迭代，推动本土终端厂商加快将国产光模块纳入核心供应链，形成“应用－反馈－迭代”正循环。

四是建立预警机制，把牢产业发展航向。拓展高纯红磷多元进口渠道，建立战略储备，降低外部断供风险。建立技术路线监测平台，定期跟踪硅光、CPO、薄膜铌酸锂等替代技术进展，推动其与省内InP衬底企业形成“光源+集成”的协同关系，形成“InP光源+硅光集成”混合优势。依托浙大、之江实验室前瞻储备CPO封装与光引擎设计能力，支持省内光模块企业对接CPO供应链。建立产能内部数据库，引导企业理性投资，防范产能过剩。